| 三氟化氮 | |
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| IUPAC名 Nitrogen trifluoride | |
| 别名 | 氟化氮 三氟胺 三氟氨 |
| 识别 | |
| CAS号 | 7783-54-2 ? |
| PubChem | 24553 |
| UN编号 | 2451 |
| RTECS | QX1925000 |
| 性质 | |
| 化学式 | NF3 |
| 摩尔质量 | 71.0019 g·mol⁻¹ |
| 外观 | 无色气体 |
| 密度 | 3.003 kg/m3 (1 atm, 15 °C) 1.885 g/cm3 (沸点时，液态) |
| 熔点 | −207.15 °C（66 K） |
| 沸点 | −129.1 °C（144 K） |
| 溶解性（水） | 0.021 vol/vol (20 °C, 1 bar) |
| 结构 | |
| 分子构型 | 三角锥 |
| 偶极矩 | 0.234 D |
| 危险性 | |
| MSDS | Air Liquide MSDS |
| 欧盟编号 | 未列出 |
| NFPA 704 |
 0
1
0
OX
|
| 闪点 | 不易燃 |
| 若非注明，所有数据均出自一般条件（25 ℃，100 kPa）下。 | |
三氟化氮（NF3）是卤化氮中最稳定的无机化合物，可在钙的催化下由氨气与氟气制成。[1]它可以用作氟化氢激光器的氧化剂，半导体、液晶和薄膜太阳能电池生产过程中的蚀刻剂。曾被试做火箭燃料。[2]但由于三氟化氮属于温室气体，能加剧温室效应，因此有人认为应该限制这种化合物的使用。[3]
三氟化氮在半导体及TFT-LCD制造的薄膜制程中扮演“清洁剂”的角色，不过这类清洁剂是气态，而非液态。
在半导体中，薄膜制程的主要设备是“化学气相沉积”（CVD）机台，会在晶圆片上长出薄膜。薄膜的成分有可能是硅、二氧化硅或其他金属材料，但这些材料不仅会附着在芯片上，也附着在反应室内的墙壁上，内墙上的二氧化硅累积至相当数量，就会在反应室内形成微尘粒子（Particle），影响晶圆片的良率。
因此每台CVD机台在处理过规定数量的晶圆片后，就要使用含氟的气体清洗，以去除内壁上的硅化物质。不过NF3与CF4、C2F6等气体都属于多氟碳化物，是造成温室效应的来源之一。半导体厂为了降低排气对温室效应的影响，在排放含氟废气前，会以高温（摄氏700、800度才进行）将气体由有机转分解为无机，才不会破坏臭氧层。