雜質半導體（英語：extrinsic semiconductor）又稱外質半導體，是摻雜了雜質的半導體，即在本徵半導體中加入摻雜物，使得其電學性質較無雜質半導體發生了改變。
摻雜
若在純矽中摻雜（doping）少許的施子（即五價原子，最外層有5個電子的原子）如磷、砷、銻，施子的一個價電子就會成為自由電子，如此形成N型半導體，自由電子為N型半導體中導電的主要載子（多數載子）。
若在純矽中摻雜少許的受子（即三價原子，最外層有3個電子的原子）如硼、鋁、鎵、銦，就少了1個電子，而形成一個電洞（Hole，或稱電孔），如此形成P型半導體，電孔為P型半導體中導電的主要載子（多數載子）。
因摻雜前的本質半導體與雜質皆為電中性，摻雜後的外質半導體也為電中性。
參考來源
- 文獻
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- 引用