杂质半导体（英语：extrinsic semiconductor）又称外质半导体，是掺杂了杂质的半导体，即在本征半导体中加入掺杂物，使得其电学性质较无杂质半导体发生了改变。
掺杂
若在纯硅中掺杂（doping）少许的施子（即五价原子，最外层有5个电子的原子）如磷、砷、锑，施子的一个价电子就会成为自由电子，如此形成N型半导体，自由电子为N型半导体中导电的主要载子（多数载子）。
若在纯硅中掺杂少许的受子（即三价原子，最外层有3个电子的原子）如硼、铝、镓、铟，就少了1个电子，而形成一个电洞（Hole，或称电孔），如此形成P型半导体，电孔为P型半导体中导电的主要载子（多数载子）。
因掺杂前的本质半导体与杂质皆为电中性，掺杂后的外质半导体也为电中性。
参考来源
- 文献
- Muller, Richard S.; Theodore I. Kamins. Device Electronics for Integrated Circuits 2d. New York: Wiley. 1986. ISBN 978-0-471-88758-4.
- Sze, Simon M. Physics of Semiconductor Devices（2nd ed.）. John Wiley and Sons（WIE）. 1981. ISBN 978-0-471-05661-4.
- 上册：施敏; 伍国珏; 译者：张鼎张、刘柏村. 半導體元件物理學(上冊). 台湾: 台湾交通大学. 2008-08-01 [2008]. ISBN 978-986-843-951-1 （中文）. （繁体中文）
- 下册：施敏; 伍国珏; 译者：张鼎张、刘柏村. 半導體元件物理學(下冊). 台湾: 台湾交通大学. 2009-04-14 [2009]. ISBN 978-986-843-954-2 （中文）. （繁体中文）
- Turley, Jim. The Essential Guide to Semiconductors. Prentice Hall PTR. 2002. ISBN 978-0-13-046404-0.
- Yu, Peter Y.; Cardona, Manuel. Fundamentals of Semiconductors : Physics and Materials Properties. Springer. 2004. ISBN 978-3-540-41323-3.
- Neamen, Donald A. Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles (3rd ed.). McGraw-Hill Higher Education. 2003. ISBN 0-07-232107-5.
- 引用