薄膜晶体管

薄膜晶体管（英语：Thin-Film Transistor，缩写：TFT）是场效应晶体管的种类之一，大略的制作方式是在基板上沉积各种不同的薄膜，如半导体主动层、介电质和金属电极层。

TFT是在基板（如是应用在液晶显示器，则基板大多使用玻璃）上沉积一层薄膜当做通道区。

大部分的TFT是使用氢化非晶硅（a-Si:H）当主要材料，因为它的能阶小于单晶硅（Eg = 1.12eV），也因为使用a-Si:H当主要材料，所以TFT大多不是透明的。另外，TFT常在介电、电极及内部接线使用铟锡氧化物（ITO），ITO则是透明的材料。

因为TFT基板不能承受高的退火温度，所以全部的沉积制程必须在相对低温下进行。如化学气相沉积、物理气相沉积（大多使用溅镀技术）都是常使用的沉积制程。如要制作透明的TFT，第一个被研究出来的方法是使用氧化锌材料，此项技术由俄勒冈州立大学的研究员于2003年时发表。 ^[1] 常用的透明TFT半导体材料多为金属氧化物，除了ZnO之外，还有IGZO等。但是这些金属氧化物多为n型半导体材料。很多人都知道薄膜晶体管主要的应用是TFT LCD，液晶显示器技术的一种。晶体管被作在面板里，这样可以减少各像素间的互相干扰并增画面稳定度。大略是从2004年开始，大部分便宜的彩色LCD屏幕都是使用TFT技术的。连在乳腺和癌症X-ray检查的数字X-ray摄影技术上也很常使用TFT面板。 TFT LCD 是有源矩阵类型液晶显示器(AM-LCD)中的一种。TFT 的显示采用“背透式”照射方式,通过在TFT的背部设置背光源，光源照射时通过TFT LCD 的下偏光板向上透出，通过上下夹层的电极改成FET电极和共通电极，在FET电极导通时，液晶分子的表现也会发生改变，可以通过遮光和透光来达到TFT LCD显示的目的。

新的AMOLED（主动数组OLED）屏幕也内置了TFT层。

参见

参考文献

↑ Wager, John. OSU Engineers Create World's First Transparent Transistor. College of Engineering, Oregon State University, Corvallis, OR: OSU News & Communication, 2003. 29 July 2007 存档副本. [2007-07-29].

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[1] Wager, John. OSU Engineers Create World's First Transparent Transistor. College of Engineering, Oregon State University, Corvallis, OR: OSU News & Communication, 2003. 29 July 2007 存档副本. [2007-07-29].

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