关于华东理工大学教授、长江学者，请见“施敏 (化学家)”。| 施敏 | |
|---|---|
| 出生 | 1936年3月21日 中国南京市 |
| 国籍 | 中国 美国 |
| 母校 | 台湾大学 华盛顿大学 史丹福大学 |
| 知名于 | 非易失性存储器，快闪存储器 |
| 科学生涯 | |
| 研究领域 | 物理学 |
| 机构 | 国立交通大学电子工程学系所 |
| 博士生 | 张俊彦 |
施敏（英语：Simon Sze，1936年3月21日—），台湾知名半导体学者，台湾“中央研究院”院士，曾任职于美国贝尔实验室与新竹国立交通大学电子工程系教授，现任台湾阳明交通大学与台湾科技大学荣誉讲座教授以及美国史丹福大学电机系顾问教授。他与姜大元发明并实作了第一个非易失性存储器（non-volatile semiconductor memory，NVSM）[1][2]。电机电子工程师学会（IEEE）会士[3]、尊荣会员。
生平
生于中华民国南京市[4]，在台湾长大。其父施家福是矿冶专家，在解放战争期间，被调派至基隆金瓜石，因而全家迁居台湾。1957年，施敏毕业于台湾大学电机工程学系，之后至美国留学。1960年，获取华盛顿大学硕士学位。1963年，获取史丹福大学电机博士学位[注 1]。毕业后，随即进入贝尔实验室工作，在此工作直到1989年退休。
1967年5月，与韩裔美国人的姜大元在《贝尔系统科技期刊》（The Bell System Technical Journal）发表第一篇关于非易失性存储器的论文“浮闸非易失性半导体存储器细胞组件”[1][2]，随后由贝尔实验室获取专利。在此年开始，撰写《半导体组件物理学》（Physics of Semiconductor Devices）[5]。1969年，《半导体组件物理学》（Physics of Semiconductor Devices）第一版出版，成为工程及应用科学领域最畅销的教科书[6]。
1968年，回台湾，于台湾交通大学担任董浩云讲座教授一年。并创办台湾第一家半导体公司“环宇电子”[注 2]。
1977年获选电机电子工程师学会（IEEE）会士[7]，1989年自贝尔实验室退休后，1990年开始于台湾交通大学电子工程系任教[8]。
1991年，获选IEEEJ J Ebers奖[9][3]。
1994年，当选台湾台湾“中央研究院”院士（数理组）。1995年，获选美国国家工程院院士。1998年，获选中国工程院外籍院士[10]。
2010年6月，获赠台湾交通大学终身讲座教授。
2014年6月，获赠台湾科技大学荣誉讲座教授。
2017年12月获IEEE颁赠2017年度“尊荣会员”[11]。
著作
他所著的《半导体组件物理学》（Physics of Semiconductor Devices）是目前是全世界所有工程及应用科学领域最畅销的书之一，1969年推出第一版，1981年与2006年再版两次。曾被翻译成六种语言，销售超过100万册，被引用次数达两万多次，有“半导体界的圣经”之称。
- Physics of Semiconductor Devices, S. M. Sze. New York: Wiley, 1969, ISBN 0-471-84290-7; 2nd ed., 1981, ISBN 0-471-05661-8; 3rd ed., with Kwok K. Ng, 2006, ISBN 0-471-14323-5, ISBN 0-470-06830-2, ISBN 978-047-006-830-4.
- Nonvolatile Memories: Materials,Devices and Applications" 2-volume set, Tseung-Yuen Tseng and Simon M. Sze. Los Angeles: American Scientific Publishers, 2012; ISBN 1-58883-250-3
- Semiconductor Devices: Physics and Technology, S. M. Sze. New York: Wiley, 1985; 2nd ed., 2001, ISBN 0-471-33372-7; 3ed ed., with Ming-Kwei Lee . 2012, ISBN 978-047-053-794-7
- VLSI Technology, ed. S. M. Sze. New York: McGraw-Hill, 1983, ISBN 0-07-062686-3; 2nd ed., 1988, ISBN 0-07-062735-5.
- Modern Semiconductor Device Physics, ed. S. M. Sze. New York: John Wiley & Sons, Inc., 1998, ISBN 0-471-15237-4.
- 中文书
- 上册：施敏; 伍国珏; 译者：张鼎张、刘柏村. 半導體元件物理學(上冊). 台湾: 台湾交通大学. 2008-08-01 [2008]. ISBN 978-986-843-951-1 （中文）. （繁体中文）
- 下册：施敏; 伍国珏; 译者：张鼎张、刘柏村. 半導體元件物理學(下冊). 台湾: 台湾交通大学. 2009-04-14 [2009]. ISBN 978-986-843-954-2 （中文）. （繁体中文）
注释
参考文献
- ↑ 1.0 1.1 即浮闸非易失性半导体存储器，其架构类似常规MOSFET，施敏. Floating Gate (pdf). 第19卷1，奈米通讯. 国家奈米组件实验室，财团法人国家实验研究院. 2012 [2015-09-27]. 外部链接存在于
|work=(帮助) - ↑ 2.0 2.1 D. Kahng and S. M. Sze, A floating-gate and its application to memory devices, The Bell System Technical Journal, 46, #4 (1967), pp. 1288–1295.（英文）
- ↑ 3.0 3.1 Electron Devices Society J.J. Ebers Award. web page at the IEEE. [11-1-2007] （英语）.
- ↑ Institute of Electrical and Electronics Engineers. IEEE membership directory. Institute of Electrical and Electronics Engineers. 1996. ISBN 978-0-7803-9957-0 （英语）.
- ↑ 5.0 5.1 5.2 《远见杂志》 第197期 - 前进的动力：施敏要用十奈米终结存储器，成章瑜，2002年11月号
- ↑ 王丽娟. 施敏与数位时代的故事. 宏津数位科技. 2013-06-21. ISBN 9789868959002 （繁体中文（中国台湾））.
- ↑ 院士基本资料，中央研究院
- ↑ 施敏(Dr. Simon M. Sze) ，电子工程学系，台湾交通大学
- ↑ Past J.J. Ebers Award Winners , web page at the IEEE, accessed 2013-08-27
- ↑ 外籍院士名单. 中国工程院. [2013-08-27] （简体中文（中国大陆））.
- ↑ 引领全球半导体产业五十年 施敏教授获IEEE颁“尊荣会员” 为台湾首位获奖人，台湾交通大学