45纳米制程

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半导体工艺
10 µm– 1971年
6 µm– 1974年
3 µm– 1977年
1.5 µm– 1982年
1 µm– 1985年
800 nm– 1989年
600 nm– 1994年
350 nm– 1995年
250 nm– 1997年
180 nm– 1999年
130 nm– 2001年
90 nm– 2004年
65 nm– 2006年
45 nm– 2008年
32 nm– 2010年
22 nm– 2012年
14 nm– 2014年
10 nm– 2017年
7 nm– 2018年
5 nm– 2020年
3 nm– ~2022年
2 nm– ~2024年
晶体管数量

45纳米制程是半导体制造制程的一个水平。自2007年后期，松下电器和英特尔开始大量制造45纳米的芯片产品。[1]

芯片制造厂商使用High-k材料来填充栅极，目的是为了减少漏电。至2007年，IBM和英特尔宣布他们采用了金属栅极解决方案。

2020年，华为拟在上海建设不使用美国技术的芯片工厂，预期工厂将从低端45纳米芯片做起。

具有45纳米制程的产品

参考文献

  1. ↑ IEEE Spectrum: The High-k Solution. [2016-11-05]. 
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65纳米制程 		半导体器件制造制程 其后
32纳米制程
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