江崎玲于奈

江崎玲于奈 江崎 玲于奈（えさき れおな）
出生	(1925-03-12) 1925年3月12日 日本帝国大阪府中河内郡高井田村（现东大阪市）
居住地	日本
国籍	日本
母校	东京帝国大学
知名于	江崎二极管 量子穿隧效应
父母	江崎壮一郎（父）
奖项	仁科芳雄奖（1959） 日本学士院奖（1965） 诺贝尔物理学奖（1973） 文化勋章（1974） IEEE荣誉奖章（1991） 日本国际奖（1998） 勋一等旭日大绶章（1998）
科学生涯
研究领域	半导体物理学 凝态物理
机构	川西机械制作所 IBM 筑波大学 芝浦工业大学 横滨药科大学

日语写法
日语原文	江崎 玲于奈
假名	えさき れおな
平文式罗马字	Esaki Reona

江崎玲于奈（日语：江崎 玲于奈／えさき れおな ^{Esaki Reona} ，1925年3月12日—），罗马拼音Leo Esaki（レオ・エサキ），日本物理学家，美国国家科学院、美国国家工程院、俄罗斯科学院外籍院士。日本学士院会员。现任横滨药科大学校长。文化勋章、勋一等旭日大绶章表彰。

江崎是诺贝尔物理学奖（1973年）暨IEEE荣誉奖章（1991年）双料得主。他借由穿隧效应发明了江崎二极体（又称穿隧效应二极体，与东京通信工业株式会社合作完成），此外也是超晶格研究的先驱（与IBM合作）。

早年生活与教育

江崎玲于奈在1925年出生于日本大阪中河内郡高井田村（现在的东大阪市），成长于京都。江崎家毗邻京都帝国大学与同志社大学校园，父亲江崎壮一郎是一位建筑师，哥哥是毕业于京都帝大的铁道工程师。他在同志社中学首次接触基督教与美国文化，从第三高等学校毕业后考入东京帝国大学学习物理学。他曾于1944年10月在东大参加汤川秀树开设的核子理论课。当时也曾亲历东京大轰炸。

江崎分别在1947年、1959年获得东京大学学士、博士学位。

职业生涯

江崎二极体

江崎二极体，旁边的跳线是比例尺

1959年在Sony工作的江崎玲于奈

江崎玲于奈在大学毕业后进入川西机械制作所（现富士通天）工作，起初进行由真空管的阴极放出热电子的研究工作，因受到约翰·巴丁、沃尔特·布喇顿和威廉·肖克利发明电晶体的鼓舞，他转而研究重掺杂的锗和硅。1956年转入东京通信工业株式会社（现Sony）担任半导体研究室主任研究员，进行PN结二极体研究。经过一年的尝试后得知，每当锗的PN结宽度变薄时，穿隧效应就会影响电流 - 电压之特性，随着电压增加，电流反而减小，这说明了负电阻。此一发现是物理学中首次出现的固体穿隧效应，也是电子学中的一个新型电子器件：江崎二极体（或称隧道二极体）的诞生。由于此一突破性发明，1959年他获得了东大博士学位。

江崎在1973年因“发现半导体和超导体的穿隧效应”，与挪威物理学家伊瓦尔·贾埃弗及英国物理学家布赖恩·约瑟夫森共同获得诺贝尔物理学奖。基于颁奖典礼的排序，江崎成为世界第一位从卡尔十六世·古斯塔夫国王手中接过诺贝尔奖奖章、奖状的诺贝尔奖得主。2015年3月，日本茨城吾妻2丁目的中央公园设置了江崎、小林诚、朝永振一郎的铜像，以彰显3位诺贝尔物理学奖得主的功绩。

超晶格

江崎玲于奈在1960年移居美国，加入IBM汤玛斯·华森研究中心，然后在1967年成为IBM院士。他预测，如果半导体晶体中人为地构建一维周期性结构变化，将可形成半导体超晶格，并引起诸如差分负电阻效应等独特现象。他开发了名为“分子束外延”的薄膜晶体生长方法，可以在超高真空中相当精确地调节。他的第一篇关于半导体超晶格的论文发表于IBM时期的1970年，他在1987年曾对这篇原始论文提出如下的注释：

“《物理评论》评审因缺乏想像力而拒绝出版原始论文，认为该论文太过投机性，没有崭新的物理思想。” 然而，这个想法很快就被美国陆军研究办公室所接受

1972年，江崎在III-V族半导体中实现了他的超晶格概念，后来这个概念影响了许多领域，如金属和磁性材料。他因“对隧道、半导体超晶格和量子井的贡献和领导”荣获1991年IEEE荣誉奖章，也因“创造和实现人造超晶格晶体的概念，致发新材料的生成与有效的应用”荣获1998年日本国际奖。赤崎勇、天野浩、中村修二获得2014年诺贝尔物理学奖后，江崎翌日（10月8日）与赤崎进行电话会谈，他们讨论了彼此发明的社会影响力，也提到“日本人特有的毅力”是成功的重要原因。2015年5月3日，中村在与JAXA负责人川口淳一郎的对谈中自称“尤其尊敬的人物”是江崎。江崎发明的超晶格对LED至为重要。

返日后的活动

江崎玲于奈在1992年返日担任筑波大学校长（至1998年），2000年担任一届芝浦工业大学校长，并应首相之邀加入教育改革国民会议。2003年担任奈米技术科学奖“江崎玲于奈奖”的选考委员。2006年以来担任横滨药科大学的校长。

荣誉

• 1959年 - 仁科芳雄奖。
• 1965年 - 日本学士院奖。
• 1973年 - 诺贝尔物理学奖。
• 1974年 - 日本文化勋章。
• 1975年 - 日本学士院会员。
• 1976年 - 美国国家科学院外国会员。
• 1985年 - James C. McGroddy Prize for New Materials
• 1991年 - IEEE荣誉奖章。
• 1998年 - 日本国际奖。勋一等旭日大绶章。
• 2001年 - 香港科技大学荣誉博士。
• 2007年 - 台湾清华大学荣誉特聘讲座。

所属科学院

• 美国物理学会
• 日本物理学会
• 1975年 - 日本学士院会员
• 1976年 - 美国国家科学院外籍院士
• 1977年 - 美国国家工程院外籍院士
• 1989年 - 马克斯普朗克学会会员
• 1991年 - 美国哲学会会员
• 1994年 - 俄罗斯科学院外籍院士
• 1995年 - 韩国科学技术翰林院荣誉外籍院士
• 1996年 - 意大利猞猁之眼国家科学院院士

轶事

江崎玲于奈是少数不以日语罗马化作为外语姓名的日本人。他新起“Leo”一名取代日语原名的“Reona”（玲于奈）。亦即，在汉字系统以外，通行“Leo Esaki”此一姓名。

参考

• 国立科学博物馆：ノーベル赏受赏者9人の伟业．江崎玲于奈

文献

• Large scale integrated circuits technology : state of the art and prospects : proceedings of the NATO Advanced Study Institute on "Large Scale Integrated Circuits Technology: State of the Art and Prospects," Erice, Italy, July 15–27, 1981 / edited by Leo Esaki and Giovanni Soncini (1982)
• Highlights in condensed matter physics and future prospects / edited by Leo Esaki (1991)
• “时代の证言者”江崎玲于奈，读卖新闻
• “真空管から半导体への“トンネル”の思い出”江崎玲于奈，‘日本の物理学史’ pp. 478–496

参见

• 江崎二极体
• 超晶格
• 日本人诺贝尔奖得主

外部链接

• （英文）The Nobel Prize in Physics 1973
• （日语）江崎 玲于奈 博士の略历、受赏历、业绩（筑波大学）
• （日语）江崎玲于奈赏 - (财)茨城县科学技术振兴财团