矽酸鉿 | |
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系統名 Hafnium(4+) silicate | |
識別 | |
CAS號 | 13870-13-8 |
PubChem | 17979268 |
ChemSpider | 16470992 |
SMILES |
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性質 | |
化學式 | HfO4Si |
摩爾質量 | 270.57 g·mol−1 |
精確質量 | 271.903133781 g mol−1 |
外觀 | 四方晶體[1] |
密度 | 7.0 g/cm3 |
熔點 | 2758 °C(3031 K)([1]) |
若非註明,所有數據均出自一般條件(25 ℃,100 kPa)下。 |
在現代半導體元件中,可以使用由原子層沉積、化學氣相沉積或MOCVD生長的矽酸鉿和矽酸鋯薄膜,作為高κ電介質替換二氧化鈦[2]。二氧化鉿中的矽增大了能隙,同時降低相對電容率。此外,它還提高了非晶膜的結晶化溫度,並進一步增強了材料在高溫下與矽的熱穩定性[3]。有時會向矽酸鉿中加入氮以提高熱穩定性和設備的電性能。
參考資料
- ↑ 1.0 1.1 Haynes, William M. CRC handbook of chemistry and physics: a ready-reference book of chemical and physical data 92nd. Boca Raton, FL.: CRC Press. 2011: 4-66. ISBN 978-1-4398-5511-9. OCLC 730008390 (英語).
- ↑ Mitrovic, I.Z.; Buiu, O.; Hall, S.; Bungey, C.; Wagner, T.; Davey, W.; Lu, Y. Electrical and structural properties of hafnium silicate thin films. Microelectronics Reliability. 2007-04, 47 (4-5): 645–648 [2015-04-11]. doi:10.1016/j.microrel.2007.01.065.
- ↑ J.H. Choi; et al. Development of hafnium based high-k materials—A review. Materials Science and Engineering: R. 2011, 72 (6): 97–136 [2015-04-11]. doi:10.1016/j.mser.2010.12.001.
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