硅酸铪 | |
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系统名 Hafnium(4+) silicate | |
识别 | |
CAS号 | 13870-13-8 |
PubChem | 17979268 |
ChemSpider | 16470992 |
SMILES |
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性质 | |
化学式 | HfO4Si |
摩尔质量 | 270.57 g·mol−1 |
精确质量 | 271.903133781 g mol−1 |
外观 | 四方晶体[1] |
密度 | 7.0 g/cm3 |
熔点 | 2758 °C(3031 K)([1]) |
若非注明,所有数据均出自一般条件(25 ℃,100 kPa)下。 |
在现代半导体元件中,可以使用由原子层沉积、化学气相沉积或MOCVD生长的硅酸铪和硅酸锆薄膜,作为高κ电介质替换二氧化钛[2]。二氧化铪中的硅增大了能隙,同时降低相对电容率。此外,它还提高了非晶膜的结晶化温度,并进一步增强了材料在高温下与硅的热稳定性[3]。有时会向硅酸铪中加入氮以提高热稳定性和设备的电性能。
参考资料
- ↑ 1.0 1.1 Haynes, William M. CRC handbook of chemistry and physics: a ready-reference book of chemical and physical data 92nd. Boca Raton, FL.: CRC Press. 2011: 4-66. ISBN 978-1-4398-5511-9. OCLC 730008390 (英语).
- ↑ Mitrovic, I.Z.; Buiu, O.; Hall, S.; Bungey, C.; Wagner, T.; Davey, W.; Lu, Y. Electrical and structural properties of hafnium silicate thin films. Microelectronics Reliability. 2007-04, 47 (4-5): 645–648 [2015-04-11]. doi:10.1016/j.microrel.2007.01.065.
- ↑ J.H. Choi; et al. Development of hafnium based high-k materials—A review. Materials Science and Engineering: R. 2011, 72 (6): 97–136 [2015-04-11]. doi:10.1016/j.mser.2010.12.001.
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