洪朝生:修订间差异

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1951年回国,时任中国科学院应用物理所副研究员、研究员,并兼任清华大学、北京大学、中国科学技术大学物理系教授一职,1978年荣任中国科学院物理研究所副所长,1982年荣任中国科学院低温技术实验中心主任。1980年当选为[[中国科学院学部委员]](院士)。
1951年回国,时任中国科学院应用物理所副研究员、研究员,并兼任清华大学、北京大学、中国科学技术大学物理系教授一职,1978年荣任中国科学院物理研究所副所长,1982年荣任中国科学院低温技术实验中心主任。1980年当选为[[中国科学院学部委员]](院士)。


== 誉 ==
== 誉 ==
* 1950年,于半导体鍺单晶输运现象实验中,发现杂质能级上的导电现象,并提出半导体禁带中杂质导电概念,此现象被半导体物理界称之为“洪朝生效应”。亦间接促进尔后“无序系统电子输运现象”实验研究的开端。
* 1950年,于半导体鍺单晶输运现象实验中,发现杂质能级上的导电现象,并提出半导体禁带中杂质导电概念,此现象被半导体物理界称之为“洪朝生效应”。亦间接促进尔后“无序系统电子输运现象”实验研究的开端。
* 1953年,于中国科学院物理研究所组建国内第一所低温实验室,主持研制低温研究设备。陆续发现氫、氦的液化及相关技术的推广。
* 1953年,于中国科学院物理研究所组建国内第一所低温实验室,主持研制低温研究设备。陆续发现氫、氦的液化及相关技术的推广。