威廉·肖克利：修订间差异

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| work_institution = [[贝尔实验室]]<br>[[蕭克利半导体实验室|蕭克利半导体]]<br>[[史丹佛大学]]
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到1946年冬天，他们已经获得了足够的结果，巴丁将有关表面狀态的论文提交給《物理评论》。 Brattain开始进行实验，以通过在半导体表面上照射明亮的光时进行的观察来研究表面狀态。这导致了另外几篇论文（其中一篇是与Shockley合著的），它们估计表面态的密度足以解決他们失败的实验。当它们开始用电解质包围半导体和导线之间的点接触时，工作的步伐明显加快。摩尔建立了一个电路，使他们可以轻松改变输入信号的频率。最终，当皮尔逊根据肖克利的建议采取行动时，他们开始获得一些功率放大的证据。肖特利建议，将电压施加在穿过PN接面的硼酸乙二醇滴上。
到1946年冬天，他们已经获得了足够的结果，巴丁将有关表面狀态的论文提交給《物理评论》。 Brattain开始进行实验，以通过在半导体表面上照射明亮的光时进行的观察来研究表面狀态。这导致了另外几篇论文（其中一篇是与Shockley合著的），它们估计表面态的密度足以解決他们失败的实验。当它们开始用电解质包围半导体和导线之间的点接触时，工作的步伐明显加快。摩尔建立了一个电路，使他们可以轻松改变输入信号的频率。最终，当皮尔逊根据肖克利的建议采取行动时，他们开始获得一些功率放大的证据。肖特利建议，将电压施加在穿过PN接面的硼酸乙二醇滴上。


贝尔实验室的约翰·巴丁，威廉·肖克利和沃尔特·布拉顿，1948年贝尔实验室的律师很快就发现了蕭克利的场效应原理是可以預见的，基于该原理的设备由朱利叶斯·利林菲尔德（Julius Lilienfeld）于1930年申请了专利，他于1925年10月22日在加拿大提交了类似MESFET的专利。儘管该专利看上去“易碎”（无法工作），但专利律师仅基于Bardeen-Brattain点接触设计为其四项专利申请之一。其他三个（首先提交）由Bardeen，Gibney和Brattain作为发明者研究了基于电解质的电晶体。
贝尔实验室的约翰·巴丁，威廉·肖克利和沃尔特·布拉顿，1948年贝尔实验室的律师很快就发现了蕭克利的场效应原理是可以預见的，基于该原理的设备由朱利叶斯·利林菲尔德（Julius Lilienfeld）于1930年申请了专利，他于1925年10月22日在加拿大提交了类似MESFET的专利。尽管该专利看上去“易碎”（无法工作），但专利律师仅基于Bardeen-Brattain点接触设计为其四项专利申请之一。其他三个（首先提交）由Bardeen，Gibney和Brattain作为发明者研究了基于电解质的电晶体。


这些专利申请中都沒有蕭克利的名字。这激怒了蕭克利，他认为他的名字也应该在专利上，因为这项工作是基于他的场效应思想。他甚至努力使专利仅以他的名字书写，然后将其意图告诉了Bardeen和Brattain。
这些专利申请中都沒有蕭克利的名字。这激怒了蕭克利，他认为他的名字也应该在专利上，因为这项工作是基于他的场效应思想。他甚至努力使专利仅以他的名字书写，然后将其意图告诉了Bardeen和Brattain。
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{{诺贝尔物理学奖获得者 (1951年-1975年)}}
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{{Time Persons of the Year 1951–1975}}
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{{IEEE榮誉奖章获奖者 1976–2000}}
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[[Category:时代年度风云人物]]
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[[Category:罹患前列腺癌逝世者]]
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[[Category:IEEE榮誉奖章]]
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取自“https://www.qiuwenbaike.cn/wiki/威廉·肖克利”