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[[File:Wet etching tanks at LAAS 0465.jpg|缩略图|250px|实验室中的刻蚀罐]] '''刻蚀'''({{lang-en|'''etching'''}})是[[半导体器件制造]]中利用化学途径选择性地移除沉积层特定部分的工艺。刻蚀对于器件的电学性能十分重要。如果刻蚀过程中出现失误,将造成难以恢复的硅片报废,因此必须进行严格的工艺流程控制。半导体器件的每一层都会经历多个刻蚀步骤。<ref>{{cite book|author=Michael Quirk, Julian Serda|title=半导体制造技术(原书名:{{lang|en|Semiconductor Manufacturing Technology}})|publisher=电子工业出版社|year=2005|isbn=7-5053-9493-2|page=404}}</ref> 刻蚀一般分为电子束刻蚀和光刻,光刻对材料的平整度要求很高,因此,需要很高的清洁度。 但是,对于电子束刻蚀,由于电子的波长极短,因此分辨率与光刻相比要好的多。 因为不需要掩模板,因此对平整度的要求不高,但是电子束刻蚀很慢,而且设备昂贵。 对于大多数刻蚀步骤,晶圆上层的部分位置都会通过“罩”予以保护,这种罩不能被刻蚀,这样就能对层上的特定部分进行选择性地移除。在有的情况中,罩的材料为[[光阻]]性的,这和[[光刻]]中利用的原理类似。而在其他情况中,刻蚀罩需要耐受某些化学物质,[[氮化硅]]就可以用来制造这样的“罩”。 == 参考文献 == {{reflist}} {{refbegin}} * {{cite book |last=Jaeger |first=Richard C. |title=Introduction to Microelectronic Fabrication |year=2002 |publisher=Prentice Hall |location=Upper Saddle River |isbn=0-201-44494-7 |chapter=Lithography}} * ''Ibid, "Processes for MicroElectroMechanical Systems (MEMS)"'' {{refend}} == 外部链接 == * [http://www.cleanroom.byu.edu/wet_etch.phtml BYU Cleanroom Chemical Etching ] * [http://www.crystec.com/jwawete.htm Technology of wet etching] of silicon and semiconductor wafers. * [http://www.crystec.com/trietche.htm Technology of dry etching] or plasma etching of silicon and semiconductor wafers. {{半导体物理学}} [[Category:半导体|E]] [[Category:微技术|E]]
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