| 梁骏吾 | |
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| 出生 | 1933年9月18日 |
| 奖项 | 中国工程院院士 |
| 科学生涯 | |
| 研究领域 | 半导体材料 |
梁骏吾（1933年9月18日—2022年6月23日），湖北武汉人，半导体材料专家，1955年毕业于武汉大学化学系， 1960年获原苏联科学院冶金研究所副博士学位。。中国科学院半导体研究所研究员。中国工程院院士。[1]
1997年，获选中国工程院信息与电子工程学部院士[2][3]。2022年6月23日在北京逝世，享年89岁[4]。
贡献
20世纪60年代解决了高纯区熔硅的关键技术。1964年制备出室温激光器用GaAs液相外延材料。1979年，研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶。1980年代，首创了掺氮中子嬗变硅单晶，解决了硅片的完整性和均匀性的问题。1990年代初研究MOCVD生长超晶格量子阱材料，在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面，将中国超晶格量子阱材料推进到实用水平。[4]
参考文献
- ↑ 中国工程院-梁骏吾. www.cae.cn. [2017-08-03].
- ↑ 白玉良主编. 中国工程院院士自述 第二卷. 北京：高等教育出版社. 2008年12月: 685–696. ISBN 978-7-04-024207-2.
- ↑ 国家统计局科学技术编. 中国科技统计年鉴 2012. 北京：中国统计出版社. 2012年11月: 23–24. ISBN 978-7-5037-6721-0.
- ↑ 4.0 4.1 半导体材料专家梁骏吾院士逝世，享年89岁_中国政库_澎湃新闻-The Paper. www.thepaper.cn. [2022-06-24].
中国工程院信息与电子工程学部院士